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LED全彩屏芯片一般都會遇到哪些問題?

發布時間(jian):2020-03-14 13:48:10人氣(qi):
  LED芯片(pian)是LED全彩屏等(deng)產(chan)品(pin)的心(xin)髒(zang),主(zhu)要功(gong)能就是(shi)把(ba)電能轉化成(cheng)光能(neng),在使用過程中(zhong),LED芯片也(ye)會出(chu)現各種(zhong)各樣的(de)問(wen)題,LED全彩屏芯片一般(ban)都會遇到(dao)哪(na)些問題(ti)?  
  1.正向(xiang)電壓(ya)降低(di)、暗光  
  (1)一(yi)種是電極與(yu)發(fa)光材料為歐姆(mu)接(jie)觸,但接觸電阻大,主要由(you)材料襯底(di)低濃度(du)或電極缺損(sun)所致(zhi)。  
  (2)一種是電極(ji)與材(cai)料(liao)為非歐姆接觸,主要(yao)發生(sheng)在芯片電極製(zhi)備過(guo)程中蒸發第(di)一層電極時的擠壓印或夾(jia)印(yin),分布(bu)位(wei)置。  
  另(ling)外封裝(zhuang)過程中也可能造成正(zheng)向壓降(jiang)低,主要原因(yin)有銀膠固(gu)化不充分(fen),支架(jia)或芯(xin)片電極沾(zhan)汙等造成接觸電阻大或接觸電阻不(bu)穩定(ding)。  
  正向壓降低的芯片在固定電壓測(ce)試時,通過芯片的電流(liu)小,從(cong)而表(biao)現暗(an)點,還有一種暗光現(xian)象是芯片本(ben)身(shen)發光效率低,正向壓降正常。  
  2.難壓焊  
  (1)打不粘:主要因為(wei)電極表麵(mian)氧(yang)化或有膠  
  (2)有與發光材料接觸(chu)不牢(lao)和加厚(hou)焊(han)線層不牢,其(qi)中以加(jia)厚層脫落(luo)為主。  
  (3)打(da)穿(chuan)電極:通(tong)常與芯片材料有關(guan),材料脆且強度不高的材料易打(da)穿(chuan)電極,一般GAALAS材料(如高紅,紅外(wai)芯片)較(jiao)GAP材料易打(da)穿(chuan)電極。  
  (4)壓焊調試應從焊接溫度,超(chao)聲波功率,超聲(sheng)時(shi)間,壓力,金(jin)球(qiu)大小,支架定位等進行(xing)調整。  
  3.發光顏(yan)色(se)差(cha)異(yi)  
  (1)同一張芯片發光顏色有明(ming)顯差異主要是因為外延片材料問題,ALGAINP四(si)元(yuan)素材料采(cai)用量子結(jie)構(gou)很薄(bao),生長是很(hen)難保證(zheng)各區域組(zu)分一致。(組分決(jue)定禁(jin)帶(dai)寬度,禁帶寬(kuan)度決定波長(zhang))。  
  (2)GAP黃綠(lv)芯片,發光波長不會(hui)有很大偏(pian)差,但(dan)是由於人眼對(dui)這個(ge)波段顏色敏感(gan),很容(rong)易查出偏黃(huang),偏綠。由於波(bo)長是外延片材料決定的,區域越(yue)小,出現顏色偏差概念越小,故在M/T作業中有鄰近(jin)選取(qu)法(fa)。  
  (3)GAP紅(hong)色芯片有的發光顏色是偏橙黃色,這是由於其發光機理(li)為間接躍進。受(shou)雜質(zhi)濃(nong)度影響(xiang),電流密度加大時,易產生雜(za)質能級(ji)偏移和發光飽(bao)和,發光是開始(shi)變為橙(cheng)黃色。  
  4.閘流體(ti)效應(ying)  
  (1)是發光二(er)極管(guan)在正常電壓下無(wu)法導通,當(dang)電壓加高到一定程度,電流產生突(tu)變(bian)。  
  (2)產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層,有此現象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,在使(shi)用(yong)過程是出於兩(liang)極電壓不夠大,表現為不亮(liang),可用測試信(xin)息儀器從晶(jing)體管圖示儀測試曲(qu)線(xian),也可以通過小電流IF=10UA下(xia)的正向壓降來發現,小電流下的正向壓降明顯偏大,則(ze)可能是該問題所致。  
  5.反向漏(lou)電流IR  
  在限定條(tiao)件(jian)下反向漏電流為二極管的基(ji)本特性(xing),按(an)LED以(yi)前(qian)的常(chang)規規定,指反向電壓在5V時的反(fan)向漏電流。隨著(zhu)發光二極管性能的提(ti)高,反向漏電流會越來(lai)越小。IR越小越好,產生原(yuan)因為電子(zi)的不規則移動。  
  (1)芯片本身品質問題原因,可(ke)能晶片本身切割(ge)異常所導致。  
  (2)銀膠(jiao)點的太(tai)多,嚴(yan)重時會導(dao)致短路(lu)。外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷(xian)所致,芯片製作過程中側麵腐蝕不夠(gou)或有銀膠絲沾附在測麵,嚴禁用有機溶(rong)液(ye)調配銀(yin)膠。以防(fang)止(zhi)銀膠通過毛細現象爬(pa)到結區。  
  (3)靜電擊傷(shang)。外延材料,芯片製作,器(qi)件封裝,測試(shi)一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。不同類(lei)型(xing)的LED反向特性相(xiang)差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達(da)到一百(bai)多伏(fu),而(er)普(pu)紅芯片則在十幾(ji)二十(shi)伏之間。  
  (4)焊線壓力控製不當,造(zao)成晶片內崩導致IR升高。  
  6.死燈現象(xiang)  
  (1)LED的漏電流過大造成PN結失(shi)效(xiao),使LED燈(deng)點不亮,這種情(qing)況一般不會影(ying)響其他的LED燈的工作。  
  (2)LED燈的內部連(lian)接引線斷(duan)開,造成LED無電流通過而產生死燈,這(zhe)種情況會影響其他(ta)的LED燈的正常工(gong)作,原因是由於(yu)LED燈工作電壓低(紅黃橙LED工作電壓1.8v-2.2v,藍綠白LED工作電壓2.8-3.2v),一般都(dou)要用串(chuan)、並(bing)聯(lian)來聯接,來適(shi)應不同的工作電壓,串聯的LED燈越多影響越大,隻要其中有一個LED燈內部連線開路,將造成該串聯電路的整串LED燈不亮,可見(jian)這種情況(kuang)比第一種情況要嚴重的多。
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